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NDC632P详细

MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6

NDC632P厂商

Fairchild Semiconductor

NDC632P参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):140 毫欧 @ 2.7A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):550pF @ 10V,功率 - 最大值:800mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6,供应商器件封装:6-SSOT
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